硅光集成，激光器后面要接调制器
调制器，可以用硅来做，可以用微环调制，可以用电吸收调制，更多的是MZ调制
图1
激光器，不能用硅，一般用三五族材料来做，激光器要附着在硅光集成片子上，有几种方式
一是外置光源，通过光纤与调制器耦合
二是倒装，激光器倒扣过来与硅波导耦合，就在传说的“flip chip”，为什么需要，在Y5T280 激光器贴片之：正装与倒装写的挺清楚
三是异质集成，激光器与调制器近距离耦合
图2
激光器是一种材料，调制器是另一种材料，不管哪种耦合方式，总之得耦合吧，一旦出现的不同耦合界面，就有可能带来反射
咱们激光器不希望反射，所以光路设计中总离不开隔离器/法拉第等词
图3
Intel提出一种思路，在调制器上方覆盖磁光材料，把隔离器的功能小型化，MZ调制器有两个波导分别调制相位，在SOI（衬底硅-氧化硅-顶层硅）上做波导是很成熟的技术了。
图4
以前，两侧调制电极是向上做，图5
现在要覆盖磁光材料的话，电极需要做一些调整，穿过衬底向下引出，与调制驱动芯片连接，图6
顶层腾出地方，来覆盖磁光材料，图7
以前写过的隔离器磁光材料，一般是各种石榴石做的法拉第片，用的是液相外延，
硅基波导两侧肋不做重掺杂，掺杂的离子与顶层磁光材料产生单向的旋光效应，MZ的相移设计成非互易相移，也就是从左到右相移是我们期待的，但从右到左光就不能原路返回，这叫非互易，就是对激光器有了“隔离器”的效果
图8
