今天从手机到电视，我们已经离不开大规模集成电路。但很多人不知道的是，7月30号，其实是大规模集成电路的生日。这一切都和一个人紧密相关，他就是罗伯特·诺伊斯，今天我们就来回溯一下那个时代，以为以大规模集成电路为标志，人类进入了全新的纪元。
第一块集成电路的诞生地已经成为美国历史地标
麻省理工高材生
诺伊斯在读书的时候，其实相当全材，游泳拿过美国中西部比赛的第一名，还会演奏双簧管，也演过舞台剧。他中学毕业之后，读的学校叫做格林内尔学院，学习的是物理和数学两个专业。在物理课上，学院当时的系主任加尔利用个人关系，展示了当时贝尔实验室制作出来的第一批晶体管中的两个，这引起了他浓厚的兴趣。诺伊斯非常聪颖，加尔建议他去学习物理，神器麻省理工学院。
上学时期就以聪明著称
诺伊斯在麻省的时候，因为思维敏捷，研究生院都叫他“快速的罗伯托（Rapid Robert），他在MIT的博士毕业论文题目是缘体表面状态的光电研究。
追随与叛逆
诺伊斯毕业之后在东海岸的费城Philco公司工作了三年。然后他就在1956年，追随三极管的发明者、诺贝尔物理学家获得者肖克利，加入了肖克利半导体实验室，由于这个公司人均博士，所以当时还有博士生产线的美名。
半导体工业著名的八叛逆
好景不长，诺伊斯等人受够了肖克利独裁式的管理方式，在一年之后集体叛逃，由于当时叛逃的人一共有8名，他们就是半导体工业历史上著名的”8叛逆“，这些人集体创办了一个新公司：大名鼎鼎的飞兆半导体（也有译作仙童半导体，Fairchild Semiconductor）。
诺伊斯与集成电路
1959年，诺伊斯和集成电路的母版
8叛逆人均大神的水平。在杰克-基尔比于1958年发明了第一个混合集成电路（hybrid IC）之后，诺伊斯于1959年的7月30号，独立发明了一种新型的集成电路，即单片集成电路（monolithic IC）。它比基尔比的实现更加实用。诺伊斯的设计是由硅制成的，而基尔比的芯片是由锗制成的。诺伊斯的发明是第一个单片集成电路芯片。与基尔比基尔比的集成电路有外部电线连接不同，这导致无法大规模生产，诺伊斯的单片集成电路芯片将所有元件放在硅片上，用铜线连接。诺伊斯的单片集成电路的基础是平面工艺，由Jean Hoerni在1959年初开发。反过来，Hoerni的平面工艺的基础是Mohamed Atalla在1957年开发的硅表面钝化和热氧化方法。
硅谷市长
霍夫勒的一系列报道，让硅谷这个名字名噪全球
硅谷这个名字，在上世纪70年代，很可能是当时半导体公司的营销人员的说法。但真正发扬光大的是霍夫勒，他当时在《电子新闻》工作，他在1971年写了一个围绕硅谷的半导体产业的专栏，这个专栏一系列文章的标题，他都用了硅谷这个当时的新词，迅速获得了广泛的认可。
务实是诺伊斯的传统
而在1968年的时候，诺伊斯已经和摩尔一起创办了英特尔，并成长成为全球半导体工业的巨头，而诺伊斯因为是当时英特尔的CEO，所以坊间称其为硅谷市长。诺伊斯的管理风格可以说是 "卷起袖子"。他避开了豪华的公司汽车、保留的停车位、私人飞机、办公室和家具，而选择了一个结构较少、轻松的工作环境，在这种环境中，每个人都做出贡献，没有人得到奢侈的福利。通过拒绝通常的高管津贴，他成为未来几代英特尔CEO的典范。
关于诺伊斯发明集成电路的故事就倒这里了，之前我们写过关于英特尔另外一个联合创始人摩尔的文章，可以结合起来看这些天才如何改变了世界。当然今天全球半导体产业的格局也在发生变化，谁也没法预言未来是什么样子。
